材料技术突破
采用纳米级复合基板材料替代传统塑料，厚度减少40%的同时保持强度。通过半导体级晶圆切割技术，将主板厚度压缩至0.6mm以下。
- 高密度陶瓷基板
- 柔性电路材料
- 超薄金属镀层
组件高度集成
系统级封装(SiP)技术将射频模块、存储芯片、电源管理单元三维堆叠，较传统贴片工艺节省80%空间。例如：
- 天线集成在基板内部
- 芯片裸片直接封装
- 无引脚焊接技术
电池设计革新
采用固态薄膜电池技术，厚度仅0.45mm却能提供200mAh容量。特殊设计的波浪形电极结构在有限空间内提升能量密度。
| 类型 | 厚度(mm) | 容量 |
|---|---|---|
| 传统锂电 | 2.5 | 150mAh |
| 薄膜电池 | 0.45 | 200mAh |
结构优化方案
取消传统物理接口，采用无线充电和eSIM技术，消除厚度最大的USB端口。壳体采用航空级铝合金一体化成型，实现0.3mm超薄边框。
制造工艺升级
应用半导体光刻工艺制造电路，精度达到5μm级别。真空沉积技术实现多层功能膜的无缝贴合，整机装配公差控制在±0.02mm以内。
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